英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
11/09/2023 Asia Knowledge Suppliers英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。
英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。
日益先进的电动汽车和自动驾驶汽车离不开高带宽、低延迟、高度可靠的通信,从而通过车载以太网将大量传感器数据移动到车内,并使用V2X将数据从车内移动到车外。
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。
在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。
标准化的EEMBC ULPMark-CM基准测试证实nRF54H20应用处理器的处理效率超过市场上其他的通用MCU和无线SoC