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减少开关损耗:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

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罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。儒卓力在电子商务网站www.rutronik24.com.cn上提供这些器件。

通过使用TO-247-4L封装,驱动​​器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应用尤其具有吸引力。特别是随着先进AI和IoT的发展,对于云服务的需求不断增长,数据中心面临着在降低功耗的同时还要提高容量和性能的挑战。

 

配套评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)带有针对驱动SiC器件而优化的栅极驱​​动器IC (BM6101FV-C)。多个电源IC和分立组件有利于应用评测和开发。由于兼容两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N),可在相同的条件下进行评测。这个评测板可用于升压电路、2级逆变​​器和同步整流降压电路中的双脉冲测试和组件评测。

 

如要了解有关罗姆新型SiC-MOSFET器件和直接订购选项的更多信息,请访问儒卓力电子商务平台https://www.rutronik24.com.cn/search-result/qs:TMOS2941%20%20TMOS3022%20%20TMOS3023%20%20TMOS3024/reset:0

 

了解更多有关信息,请联系Rohm代理商儒卓力相关人员:

Chris Chu:+86 185 7553 9393