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英飞凌 – 带有CoolSiC™MOSFET的Easy 1B、2B

  Asia Knowledge

带有CoolSiC™MOSFET的Esay电源模块为逆变器设计人员提供了实现前所未有的效率水平和功率密度的新机会。

凭借在低杂散电感方面树立了标杆的Easy电源模块及其自身优势,再加上英飞凌1200V CoolSiCMOSFET芯片的优势,我们客户的系统成本和运营成本得到很大程度的降低。

 

产品特点

  • Si相比,开关损耗降低了约80
  • 线性输出特性可降低传导损耗
  • 市场上以Easy封装的最广泛CoolSiCMOSFET产品组合
  • 出色的栅极氧化物可靠性
  • 具有低反向恢复电荷的本征二极管
  • 最高阈值电压Vth> 4V
  • 特定的2μs短路能力

 

优势

  • 降低了系统成本,因为可以将开关频率提高2-3倍。 运营成本也由于效率提高而下降了
  • 由于有3种可用的不同拓扑结构,可根据应用需求来定制逆变器设计
  • 逆变器系统使用寿命更长,长期稳定性更好
  • 功率密度增加
  • 最高的抗寄生开启能力
  • 可用于具有SC要求的应用程序

 

目标应用

  • 太阳能
  • UPS
  • 储能
  • 电动汽车充电
  • 医疗

 

产品衍生/在线支持

  • 产品系列页面
  • IPOSIM电源仿真

 

产品概述,包括数据表链接

Rutronik编号料号SP编号封装
IGBT2561FF6MR12W2M1_B11SP001716496EASY2BM-2
IGBT2560FF8MR12W2M1_B11SP001617622EASY2BM-2
IGBT2559FF45MR12W1M1_B11SP001726338EASY1BM-2
IGBT2558FS45MR12W1M1_B11SP001686600EASY1BM-2