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罗姆 – 新型4引脚封装SiC MOSFET

  Asia Knowledge

罗姆(ROHM)宣布推出SCT3xxx xR系列,其中包括六款基于新型沟槽栅极结构的SiC MOSFET (650V/1200V)器件,理想用于要求高效率的服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器以及电动汽车(EV)充电站。

SCT3xxx xR系列SiC MOSFET采用4引脚封装(TO-247-4L),能够最大限度地提升开关性能。而且与传统的3引脚封装类型(TO-247N)器件相比,4引脚封装(TO-247-4L)可将开关损耗降低多达35%,有助于降低在多种应用中的功耗。 

近年来AI和IoT应用大行其道,带动了对云服务需求的不断增长,从而增加了全球范围数据中心的市场需求。但是,数据中心中使用的服务器面临着一个主要难题,就是如何随着容量和性能的提高而降低功耗。由于SiC器件的损耗优于服务器电源转换电路中的主流硅器件,因此业界寄予厚望。此外,由于TO-247-4L封装相比传统封装能够减少开关损耗,因此有望在服务器、基站和太阳能发电等高输出功率应用中采用。

2015年罗姆成为首家成功批量生产沟槽型SiC MOSFET器件的供应商,并在产品开发领域继续保持领先地位。除了这些最新650V/1200V高效SiC MOSFET,该公司还致力于开发创新的器件,并提供有助于降低多种设备功耗的解决方案,包括针对SiC驱动而优化的栅极驱​​动器IC。

罗姆还提供帮助应用评测的解决方案,包括SiC MOSFET评测板P02SCT3040KR-EVK-001,它配备了栅极驱动器IC (BM6101FV-C),多个电源IC和针对SiC器件驱动而优化的分立元件。全新系列SiC MOSFET和评测板已经推出,可供选购。

关键优势

4引脚封装 (TO-247-4L)可降低开关损耗多达35%

一些器件使用传统3引脚封装(TO-247N),由于源极端子寄生电感两端的电压下降,芯片上的有效栅极电压会降低,这导致开关速率降低。采用4引脚TO-247-4L封装可将驱动器和电源引脚分开,从而将寄生电感分量的影响降至最低,这可最大化SiC MOSFET器件的开关速率,与传统封装相比,总体开关损耗(导通和关断)可降低多达35%。

 

应用

UPS系统、太阳能逆变器、电力存储系统、电动汽车充电站,以及服务器场和基站的电源等等。

评测板

罗姆SiC MOSFET评测板(P02SCT3040KR-EVK-001)配备了针对驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC (BM6101FV-C),以及多个电源IC和其他分立组件,促进应用评测和开发。这款评测板兼容TO-247-4L和TO-247N封装类型,可以在相同条件下评测两种封装。该评测板可用于双脉冲测试,以及评测升压电路、二级逆变器和同步整流降压电路中的组件。

 

评测板部件编号:P02SCT3040KR-EVK-001

支持页面:https://www.rohm.com/power-device-support

ROHM SiC MOSFET
ROHM SiC MOSFET