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英飞凌 – 汽车CoolSiC™MOSFET

  Asia Knowledge

汽车CoolSiC™MOSFET已被开发用于当今以及未来的混合动力汽车和电动汽车中的车载充电器和DC-DC应用。 它是专为满足汽车行业对可靠性,质量和性能的高要求而设计的。

功能特性

  • 业界领先的SiC MOSFET,采用TO247封装的1200V沟槽技术
  • 工作温度高达TJ,最高= 175°C
  • 通过同类最佳的VGS阈值行为轻松控制
  • 短路和雪崩稳定性
  • 符合AEC-Q101 +英飞凌同类最佳SiC质量扩展标准

 

优势

  • 与IGBT,CoolMOS™和CoolSiC™肖特基二极管产品最匹配
  • 在所有负载条件下都具有很高的效率,可以满足严格的应用效率标准
  • 极其坚固的设计可满足客户的任务要求
  • 高可靠性,基于数十年的现场经验可实现同类最佳的使用寿命

目标应用

  • 板载充电器(PFC级和DC-DC级)
  • DC-DC转换器
  • 辅助逆变器

 

竞争优势

汽车CoolSiC™MOSFET是高压半导体,专为车载充电器和辅助系统中的功率转换而设计。 基于110μm的薄晶圆技术,它们的电力损耗非常低。