儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率 MOSFET

07/12/2019 Asia Knowledge cn

英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品信息。

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°,有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率,或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外,随着额定温度的增加,安全工作区域(SAO)亦改善了20%。

这些BiC MOSFET具有出色的性能数据,非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。

客户可以在儒卓力电子商务平台<link www.rutronik24.com.cn/>www.rutronik24.com.cn</link&gt; 上找到有关英飞凌OptiMOS™ BiC功率MOSFET产品系列的更多信息,还可以直接下订单: <link www.rutronik24.com.cn/search-result/nojs:1337/qs:TMOS2541%20TMOS2542/reset:0&gt;https://www.rutronik24.com.cn/search-result/nojs:1337/qs:TMOS2541%20TMOS2542/reset:0</link>

 


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