功能特性
- 业界领先的SiC MOSFET，采用TO247封装的1200V沟槽技术
- 工作温度高达TJ，最高= 175°C
- 通过同类最佳的VGS阈值行为轻松控制
- 短路和雪崩稳定性
- 符合AEC-Q101 +英飞凌同类最佳SiC质量扩展标准
优势
- 与IGBT，CoolMOS™和CoolSiC™肖特基二极管产品最匹配
- 在所有负载条件下都具有很高的效率，可以满足严格的应用效率标准
- 极其坚固的设计可满足客户的任务要求
- 高可靠性，基于数十年的现场经验可实现同类最佳的使用寿命
目标应用
- 板载充电器（PFC级和DC-DC级）
- DC-DC转换器
- 辅助逆变器
竞争优势
<link www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/aimw120r045m1/ - external-link-new-window>汽车CoolSiC™MOSFET</link>是高压半导体，专为车载充电器和辅助系统中的功率转换而设计。 基于110μm的薄晶圆技术，它们的电力损耗非常低。
