英飞凌 - 650V CoolMOS™CFD7A –用于汽车应用的高压超结MOSFET

04/29/2021 Asia Knowledge cn

英飞凌的硅基650V CoolMOS™高压超结功率MOSFET CFD7A经过专门优化,可满足车载应用如车载充电器,HV-LV DCDC转换器和辅助电源的要求。 凭借10多年的汽车行业经验,CoolMOS™CFD7A融合了远远超出AEC-Q101标准的质量和无与伦比的技术专长。

CoolMOS™CFD7A系列是在高度自动化的300mm生产线上制造的,在满足不断增长的市场需求的同时实现批量生产零缺陷的目标。

特色:

  • 电池电压高达475V,而不会影响可靠性标准
  • 硬开关和软开关拓扑的效率提高到98.4%
  • 开尔文-源概念,进一步提高效率
  • 与CoolMOS™CFDA相比,本征快速体二极管的Qrr降低了-30%

 

优势:

  • 满足汽车使用寿命要求的最高现场可靠性
  • 支持更高功率密度的设计
  • 用于PFC和DC-DC阶段的可扩展设计
  • 提供细粒度的产品组合

 

目标应用:

  • 车载充电器
    • 硬开关拓扑(带SiC二极管)
    • 阶段DC-DC的OBC
    • PFC升压级
  • HV-LV DC-DC转换器
    • LLC或全桥相移(ZVS)
  • 辅助电源

 

应用图:车载充电器


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